韓國檢察官正調查多名前三星員工，指控他們涉嫌將DRAM核心技術外洩給中國長鑫儲存，這起事件可能導致三星在美國國際貿易委員會發起國際訴訟，並可能影響全球記憶體晶片市場的供應穩定與競爭。
南韓檢方自2024年起持續調查三星電子（Samsung Electronics）DRAM核心技術外洩案，多名前三星、SK海力士及合作企業員工遭指控，在轉職或協助中國記憶體晶片製造商長鑫儲存（CXMT）後，涉嫌將先進製程相關機密帶往中國。近期新的法庭證詞曝光，也讓三星是否進一步在美國採取法律行動受到關注。
根據南韓媒體報導，案件涉及三星18奈米級DRAM製程技術，其中包括被稱為「Process Recipe Plan」的製程資料，內容涵蓋約600道晶片製造步驟。檢方認為，相關資料是三星多年研發累積的重要成果，若遭外部取得，可能大幅縮短競爭企業建立DRAM量產技術所需的時間。
近期一名前三星工程師在南韓法院作證時表示，長鑫儲存成立初期即希望取得三星相關製程資訊，而非完全從零建立技術。不過，這些內容目前主要來自檢方指控與涉案人員證詞，涉及長鑫儲存企業層級責任的部分，仍須依後續司法程序與證據認定。
相關案件已有部分被告遭法院判刑。報導指出，一名前三星工程師因非法取得涉及18奈米級DRAM製程的機密資料遭判刑，案件也持續釐清其他涉案人員在技術取得、人才招募與資訊流動中的角色。
隨著相關證詞與判決資料增加，市場也開始關注三星是否可能將爭議延伸至美國。南韓《中央日報》指出，三星未來可能考慮向美國國際貿易委員會（ITC）提出商業機密相關申訴，利用《關稅法》第337條尋求限制涉及不公平貿易行為的產品進入美國市場，但目前尚未確認三星已正式提出相關案件。
若三星最終採取行動，影響範圍可能不只限於長鑫儲存直接出口的記憶體產品，也可能涉及搭載相關晶片並進入美國市場的終端設備。不過，實際是否符合ITC管轄及能否取得排除令，仍須視三星提出的證據、涉案產品及美國司法程序而定。
長鑫儲存近年快速擴大DRAM市場布局，目前已成為中國主要記憶體晶片製造商之一，並持續縮小與三星、SK海力士及美光等國際業者之間的技術差距。隨著全球AI與伺服器需求推升記憶體市場規模，相關技術與商業機密爭議也可能進一步牽動產業競爭格局。
整體而言，目前事件仍以南韓刑事案件與相關證詞為主，三星是否正式對長鑫儲存啟動美國ITC程序仍有待觀察。若後續演變為跨國商業機密訴訟，也可能使中韓記憶體產業競爭從技術與市場層面進一步延伸至法律與貿易領域。